SI3458DV-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP
Číslo dílu
SI3458DV-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
6-TSOP
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
-
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54154 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI3458DV-T1-E3
SI3458DV-T1-E3 Elektronické komponenty
SI3458DV-T1-E3 Odbyt
SI3458DV-T1-E3 Dodavatel
SI3458DV-T1-E3 Distributor
SI3458DV-T1-E3 Datová tabulka
SI3458DV-T1-E3 Fotky
SI3458DV-T1-E3 Cena
SI3458DV-T1-E3 Nabídka
SI3458DV-T1-E3 Nejnižší cena
SI3458DV-T1-E3 Vyhledávání
SI3458DV-T1-E3 Nákup
SI3458DV-T1-E3 Chip