SI3460BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Číslo dílu
SI3460BDV-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
6-TSOP
Ztráta energie (max.)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5657 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI3460BDV-T1-E3
SI3460BDV-T1-E3 Elektronické komponenty
SI3460BDV-T1-E3 Odbyt
SI3460BDV-T1-E3 Dodavatel
SI3460BDV-T1-E3 Distributor
SI3460BDV-T1-E3 Datová tabulka
SI3460BDV-T1-E3 Fotky
SI3460BDV-T1-E3 Cena
SI3460BDV-T1-E3 Nabídka
SI3460BDV-T1-E3 Nejnižší cena
SI3460BDV-T1-E3 Vyhledávání
SI3460BDV-T1-E3 Nákup
SI3460BDV-T1-E3 Chip