SI3475DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Číslo dílu
SI3475DV-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
6-TSOP
Ztráta energie (max.)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
950mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.61 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33264 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI3475DV-T1-GE3
SI3475DV-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI3475DV-T1-GE3 Odbyt
SI3475DV-T1-GE3 Dodavatel
SI3475DV-T1-GE3 Distributor
SI3475DV-T1-GE3 Datová tabulka
SI3475DV-T1-GE3 Fotky
SI3475DV-T1-GE3 Cena
SI3475DV-T1-GE3 Nabídka
SI3475DV-T1-GE3 Nejnižší cena
SI3475DV-T1-GE3 Vyhledávání
SI3475DV-T1-GE3 Nákup
SI3475DV-T1-GE3 Chip