Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI3585CDV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Číslo dílu
SI3585CDV-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Výkon - Max
1.4W, 1.3W
Dodavatelský balíček zařízení
6-TSOP
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.9A, 2.1A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
58 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46145 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI3585CDV-T1-GE3
SI3585CDV-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI3585CDV-T1-GE3 Odbyt
SI3585CDV-T1-GE3 Dodavatel
SI3585CDV-T1-GE3 Distributor
SI3585CDV-T1-GE3 Datová tabulka
SI3585CDV-T1-GE3 Fotky
SI3585CDV-T1-GE3 Cena
SI3585CDV-T1-GE3 Nabídka
SI3585CDV-T1-GE3 Nejnižší cena
SI3585CDV-T1-GE3 Vyhledávání
SI3585CDV-T1-GE3 Nákup
SI3585CDV-T1-GE3 Chip