Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI4102DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
Číslo dílu
SI4102DY-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
158 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
370pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52385 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI4102DY-T1-GE3
SI4102DY-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI4102DY-T1-GE3 Odbyt
SI4102DY-T1-GE3 Dodavatel
SI4102DY-T1-GE3 Distributor
SI4102DY-T1-GE3 Datová tabulka
SI4102DY-T1-GE3 Fotky
SI4102DY-T1-GE3 Cena
SI4102DY-T1-GE3 Nabídka
SI4102DY-T1-GE3 Nejnižší cena
SI4102DY-T1-GE3 Vyhledávání
SI4102DY-T1-GE3 Nákup
SI4102DY-T1-GE3 Chip