SI4186DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC
Číslo dílu
SI4186DY-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 6W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3630pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44074 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI4186DY-T1-GE3
SI4186DY-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI4186DY-T1-GE3 Odbyt
SI4186DY-T1-GE3 Dodavatel
SI4186DY-T1-GE3 Distributor
SI4186DY-T1-GE3 Datová tabulka
SI4186DY-T1-GE3 Fotky
SI4186DY-T1-GE3 Cena
SI4186DY-T1-GE3 Nabídka
SI4186DY-T1-GE3 Nejnižší cena
SI4186DY-T1-GE3 Vyhledávání
SI4186DY-T1-GE3 Nákup
SI4186DY-T1-GE3 Chip