Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI4453DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
Číslo dílu
SI4453DY-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 600µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
165nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7950 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI4453DY-T1-GE3
SI4453DY-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI4453DY-T1-GE3 Odbyt
SI4453DY-T1-GE3 Dodavatel
SI4453DY-T1-GE3 Distributor
SI4453DY-T1-GE3 Datová tabulka
SI4453DY-T1-GE3 Fotky
SI4453DY-T1-GE3 Cena
SI4453DY-T1-GE3 Nabídka
SI4453DY-T1-GE3 Nejnižší cena
SI4453DY-T1-GE3 Vyhledávání
SI4453DY-T1-GE3 Nákup
SI4453DY-T1-GE3 Chip