SI4686DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
Číslo dílu
SI4686DY-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 5.2W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1220pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25118 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI4686DY-T1-E3
SI4686DY-T1-E3 Elektronické komponenty
SI4686DY-T1-E3 Odbyt
SI4686DY-T1-E3 Dodavatel
SI4686DY-T1-E3 Distributor
SI4686DY-T1-E3 Datová tabulka
SI4686DY-T1-E3 Fotky
SI4686DY-T1-E3 Cena
SI4686DY-T1-E3 Nabídka
SI4686DY-T1-E3 Nejnižší cena
SI4686DY-T1-E3 Vyhledávání
SI4686DY-T1-E3 Nákup
SI4686DY-T1-E3 Chip