Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI4931DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Číslo dílu
SI4931DY-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
1.1W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.7A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 350µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31485 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI4931DY-T1-E3
SI4931DY-T1-E3 Elektronické komponenty
SI4931DY-T1-E3 Odbyt
SI4931DY-T1-E3 Dodavatel
SI4931DY-T1-E3 Distributor
SI4931DY-T1-E3 Datová tabulka
SI4931DY-T1-E3 Fotky
SI4931DY-T1-E3 Cena
SI4931DY-T1-E3 Nabídka
SI4931DY-T1-E3 Nejnižší cena
SI4931DY-T1-E3 Vyhledávání
SI4931DY-T1-E3 Nákup
SI4931DY-T1-E3 Chip