SI5999EDU-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
Číslo dílu
SI5999EDU-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Výkon - Max
10.4W
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® ChipFet Dual
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
59 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
496pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33038 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI5999EDU-T1-GE3
SI5999EDU-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI5999EDU-T1-GE3 Odbyt
SI5999EDU-T1-GE3 Dodavatel
SI5999EDU-T1-GE3 Distributor
SI5999EDU-T1-GE3 Datová tabulka
SI5999EDU-T1-GE3 Fotky
SI5999EDU-T1-GE3 Cena
SI5999EDU-T1-GE3 Nabídka
SI5999EDU-T1-GE3 Nejnižší cena
SI5999EDU-T1-GE3 Vyhledávání
SI5999EDU-T1-GE3 Nákup
SI5999EDU-T1-GE3 Chip