SI6423DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
Číslo dílu
SI6423DQ-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSSOP
Ztráta energie (max.)
1.05W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 400µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8224 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI6423DQ-T1-GE3
SI6423DQ-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI6423DQ-T1-GE3 Odbyt
SI6423DQ-T1-GE3 Dodavatel
SI6423DQ-T1-GE3 Distributor
SI6423DQ-T1-GE3 Datová tabulka
SI6423DQ-T1-GE3 Fotky
SI6423DQ-T1-GE3 Cena
SI6423DQ-T1-GE3 Nabídka
SI6423DQ-T1-GE3 Nejnižší cena
SI6423DQ-T1-GE3 Vyhledávání
SI6423DQ-T1-GE3 Nákup
SI6423DQ-T1-GE3 Chip