Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI6463BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Číslo dílu
SI6463BDQ-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSSOP
Ztráta energie (max.)
1.05W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36207 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI6463BDQ-T1-E3
SI6463BDQ-T1-E3 Elektronické komponenty
SI6463BDQ-T1-E3 Odbyt
SI6463BDQ-T1-E3 Dodavatel
SI6463BDQ-T1-E3 Distributor
SI6463BDQ-T1-E3 Datová tabulka
SI6463BDQ-T1-E3 Fotky
SI6463BDQ-T1-E3 Cena
SI6463BDQ-T1-E3 Nabídka
SI6463BDQ-T1-E3 Nejnižší cena
SI6463BDQ-T1-E3 Vyhledávání
SI6463BDQ-T1-E3 Nákup
SI6463BDQ-T1-E3 Chip