Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI7368DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Číslo dílu
SI7368DP-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
1.7W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53185 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI7368DP-T1-GE3
SI7368DP-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI7368DP-T1-GE3 Odbyt
SI7368DP-T1-GE3 Dodavatel
SI7368DP-T1-GE3 Distributor
SI7368DP-T1-GE3 Datová tabulka
SI7368DP-T1-GE3 Fotky
SI7368DP-T1-GE3 Cena
SI7368DP-T1-GE3 Nabídka
SI7368DP-T1-GE3 Nejnižší cena
SI7368DP-T1-GE3 Vyhledávání
SI7368DP-T1-GE3 Nákup
SI7368DP-T1-GE3 Chip