Koupit Vishay Siliconix SI7434DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

SI7434DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Číslo dílu

SI7434DP-T1-GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

PowerPAK® SO-8

Dodavatelský balíček zařízení

PowerPAK® SO-8

Ztráta energie (max.)

1.9W (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

250V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

2.3A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

155 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

6V, 10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 24570 PCS

Kontaktní informace

Související produkty