SI7998DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Číslo dílu
SI7998DP-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Výkon - Max
22W, 40W
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A, 30A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33455 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI7998DP-T1-GE3
SI7998DP-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI7998DP-T1-GE3 Odbyt
SI7998DP-T1-GE3 Dodavatel
SI7998DP-T1-GE3 Distributor
SI7998DP-T1-GE3 Datová tabulka
SI7998DP-T1-GE3 Fotky
SI7998DP-T1-GE3 Cena
SI7998DP-T1-GE3 Nabídka
SI7998DP-T1-GE3 Nejnižší cena
SI7998DP-T1-GE3 Vyhledávání
SI7998DP-T1-GE3 Nákup
SI7998DP-T1-GE3 Chip