Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI8466EDB-T2-E1

SI8466EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
Číslo dílu
SI8466EDB-T2-E1
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-UFBGA, WLCSP
Dodavatelský balíček zařízení
4-Microfoot
Ztráta energie (max.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
8V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
-
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
43 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 4V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
VGS (max.)
±5V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14441 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova SI8466EDB-T2-E1
SI8466EDB-T2-E1 Elektronické komponenty
SI8466EDB-T2-E1 Odbyt
SI8466EDB-T2-E1 Dodavatel
SI8466EDB-T2-E1 Distributor
SI8466EDB-T2-E1 Datová tabulka
SI8466EDB-T2-E1 Fotky
SI8466EDB-T2-E1 Cena
SI8466EDB-T2-E1 Nabídka
SI8466EDB-T2-E1 Nejnižší cena
SI8466EDB-T2-E1 Vyhledávání
SI8466EDB-T2-E1 Nákup
SI8466EDB-T2-E1 Chip