SI8481DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
Číslo dílu
SI8481DB-T1-E1
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen III
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-UFBGA
Dodavatelský balíček zařízení
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Ztráta energie (max.)
2.8W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
21 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50382 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI8481DB-T1-E1
SI8481DB-T1-E1 Elektronické komponenty
SI8481DB-T1-E1 Odbyt
SI8481DB-T1-E1 Dodavatel
SI8481DB-T1-E1 Distributor
SI8481DB-T1-E1 Datová tabulka
SI8481DB-T1-E1 Fotky
SI8481DB-T1-E1 Cena
SI8481DB-T1-E1 Nabídka
SI8481DB-T1-E1 Nejnižší cena
SI8481DB-T1-E1 Vyhledávání
SI8481DB-T1-E1 Nákup
SI8481DB-T1-E1 Chip