SIA411DJ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Číslo dílu
SIA411DJ-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-70-6
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-70-6 Single
Ztráta energie (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43468 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIA411DJ-T1-E3
SIA411DJ-T1-E3 Elektronické komponenty
SIA411DJ-T1-E3 Odbyt
SIA411DJ-T1-E3 Dodavatel
SIA411DJ-T1-E3 Distributor
SIA411DJ-T1-E3 Datová tabulka
SIA411DJ-T1-E3 Fotky
SIA411DJ-T1-E3 Cena
SIA411DJ-T1-E3 Nabídka
SIA411DJ-T1-E3 Nejnižší cena
SIA411DJ-T1-E3 Vyhledávání
SIA411DJ-T1-E3 Nákup
SIA411DJ-T1-E3 Chip