Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIA425EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
Číslo dílu
SIA425EDJ-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-70-6
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-70-6 Single
Ztráta energie (max.)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36984 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIA425EDJ-T1-GE3
SIA425EDJ-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIA425EDJ-T1-GE3 Odbyt
SIA425EDJ-T1-GE3 Dodavatel
SIA425EDJ-T1-GE3 Distributor
SIA425EDJ-T1-GE3 Datová tabulka
SIA425EDJ-T1-GE3 Fotky
SIA425EDJ-T1-GE3 Cena
SIA425EDJ-T1-GE3 Nabídka
SIA425EDJ-T1-GE3 Nejnižší cena
SIA425EDJ-T1-GE3 Vyhledávání
SIA425EDJ-T1-GE3 Nákup
SIA425EDJ-T1-GE3 Chip