SIA427DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
Číslo dílu
SIA427DJ-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-70-6
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-70-6 Single
Ztráta energie (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
8V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2300pF @ 4V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
VGS (max.)
±5V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6057 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIA427DJ-T1-GE3
SIA427DJ-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIA427DJ-T1-GE3 Odbyt
SIA427DJ-T1-GE3 Dodavatel
SIA427DJ-T1-GE3 Distributor
SIA427DJ-T1-GE3 Datová tabulka
SIA427DJ-T1-GE3 Fotky
SIA427DJ-T1-GE3 Cena
SIA427DJ-T1-GE3 Nabídka
SIA427DJ-T1-GE3 Nejnižší cena
SIA427DJ-T1-GE3 Vyhledávání
SIA427DJ-T1-GE3 Nákup
SIA427DJ-T1-GE3 Chip