Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIA438EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L
Číslo dílu
SIA438EDJ-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-70-6
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-70-6 Single
Ztráta energie (max.)
2.4W (Ta), 11.4W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21372 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIA438EDJ-T1-GE3
SIA438EDJ-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIA438EDJ-T1-GE3 Odbyt
SIA438EDJ-T1-GE3 Dodavatel
SIA438EDJ-T1-GE3 Distributor
SIA438EDJ-T1-GE3 Datová tabulka
SIA438EDJ-T1-GE3 Fotky
SIA438EDJ-T1-GE3 Cena
SIA438EDJ-T1-GE3 Nabídka
SIA438EDJ-T1-GE3 Nejnižší cena
SIA438EDJ-T1-GE3 Vyhledávání
SIA438EDJ-T1-GE3 Nákup
SIA438EDJ-T1-GE3 Chip