SIA485DJ-T1-GE3
P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Číslo dílu
SIA485DJ-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-70-6
Dodavatelský balíček zařízení
-
Ztráta energie (max.)
15.6W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
155pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27244 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIA485DJ-T1-GE3
SIA485DJ-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIA485DJ-T1-GE3 Odbyt
SIA485DJ-T1-GE3 Dodavatel
SIA485DJ-T1-GE3 Distributor
SIA485DJ-T1-GE3 Datová tabulka
SIA485DJ-T1-GE3 Fotky
SIA485DJ-T1-GE3 Cena
SIA485DJ-T1-GE3 Nabídka
SIA485DJ-T1-GE3 Nejnižší cena
SIA485DJ-T1-GE3 Vyhledávání
SIA485DJ-T1-GE3 Nákup
SIA485DJ-T1-GE3 Chip