Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIA519EDJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Číslo dílu
SIA519EDJ-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Výkon - Max
7.8W
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24104 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIA519EDJ-T1-GE3
SIA519EDJ-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIA519EDJ-T1-GE3 Odbyt
SIA519EDJ-T1-GE3 Dodavatel
SIA519EDJ-T1-GE3 Distributor
SIA519EDJ-T1-GE3 Datová tabulka
SIA519EDJ-T1-GE3 Fotky
SIA519EDJ-T1-GE3 Cena
SIA519EDJ-T1-GE3 Nabídka
SIA519EDJ-T1-GE3 Nejnižší cena
SIA519EDJ-T1-GE3 Vyhledávání
SIA519EDJ-T1-GE3 Nákup
SIA519EDJ-T1-GE3 Chip