Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIB912DK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Číslo dílu
SIB912DK-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Výkon - Max
3.1W
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.5A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
95pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32221 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIB912DK-T1-GE3
SIB912DK-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIB912DK-T1-GE3 Odbyt
SIB912DK-T1-GE3 Dodavatel
SIB912DK-T1-GE3 Distributor
SIB912DK-T1-GE3 Datová tabulka
SIB912DK-T1-GE3 Fotky
SIB912DK-T1-GE3 Cena
SIB912DK-T1-GE3 Nabídka
SIB912DK-T1-GE3 Nejnižší cena
SIB912DK-T1-GE3 Vyhledávání
SIB912DK-T1-GE3 Nákup
SIB912DK-T1-GE3 Chip