SIB914DK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Číslo dílu
SIB914DK-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Výkon - Max
3.1W
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
8V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.5A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
113 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
125pF @ 4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15067 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIB914DK-T1-GE3
SIB914DK-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIB914DK-T1-GE3 Odbyt
SIB914DK-T1-GE3 Dodavatel
SIB914DK-T1-GE3 Distributor
SIB914DK-T1-GE3 Datová tabulka
SIB914DK-T1-GE3 Fotky
SIB914DK-T1-GE3 Cena
SIB914DK-T1-GE3 Nabídka
SIB914DK-T1-GE3 Nejnižší cena
SIB914DK-T1-GE3 Vyhledávání
SIB914DK-T1-GE3 Nákup
SIB914DK-T1-GE3 Chip