Koupit Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

SIDR610DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Číslo dílu

SIDR610DP-T1-GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Stav sekce

Active

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

PowerPAK® SO-8

Dodavatelský balíček zařízení

PowerPAK® SO-8DC

Ztráta energie (max.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

200V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 100V

VGS (max.)

±20V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

7.5V, 10V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 20257 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR390DP-T1-GE3