Koupit Vishay Siliconix SIDR680DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SIDR680DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V

Číslo dílu

SIDR680DP-T1-GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Stav sekce

Active

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

PowerPAK® SO-8

Dodavatelský balíček zařízení

PowerPAK® SO-8DC

Ztráta energie (max.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

80V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

32.8A (Ta), 100A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

2.9 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

5150pF @ 40V

VGS (max.)

±20V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

7.5V, 10V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 21200 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR390DP-T1-GE3