Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIE830DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
Číslo dílu
SIE830DF-T1-E3
Výrobce/značka
Série
WFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
10-PolarPAK® (S)
Dodavatelský balíček zařízení
10-PolarPAK® (S)
Ztráta energie (max.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
115nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10007 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIE830DF-T1-E3
SIE830DF-T1-E3 Elektronické komponenty
SIE830DF-T1-E3 Odbyt
SIE830DF-T1-E3 Dodavatel
SIE830DF-T1-E3 Distributor
SIE830DF-T1-E3 Datová tabulka
SIE830DF-T1-E3 Fotky
SIE830DF-T1-E3 Cena
SIE830DF-T1-E3 Nabídka
SIE830DF-T1-E3 Nejnižší cena
SIE830DF-T1-E3 Vyhledávání
SIE830DF-T1-E3 Nákup
SIE830DF-T1-E3 Chip