Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIE836DF-T1-GE3

SIE836DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Číslo dílu
SIE836DF-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
10-PolarPAK® (SH)
Dodavatelský balíček zařízení
10-PolarPAK® (SH)
Ztráta energie (max.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39576 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova SIE836DF-T1-GE3
SIE836DF-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIE836DF-T1-GE3 Odbyt
SIE836DF-T1-GE3 Dodavatel
SIE836DF-T1-GE3 Distributor
SIE836DF-T1-GE3 Datová tabulka
SIE836DF-T1-GE3 Fotky
SIE836DF-T1-GE3 Cena
SIE836DF-T1-GE3 Nabídka
SIE836DF-T1-GE3 Nejnižší cena
SIE836DF-T1-GE3 Vyhledávání
SIE836DF-T1-GE3 Nákup
SIE836DF-T1-GE3 Chip