Koupit Vishay Siliconix SIE854DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SIE854DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK

Číslo dílu

SIE854DF-T1-GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Stav sekce

Obsolete

Obal

Digi-Reel®

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

10-PolarPAK® (L)

Dodavatelský balíček zařízení

10-PolarPAK® (L)

Ztráta energie (max.)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

100V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

14.2 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.4V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 50V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 42673 PCS

Kontaktní informace

Související produkty