Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHA21N65EF-E3
MOSFET N-CH 650V 21A TO-220
Číslo dílu
SIHA21N65EF-E3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220 Full Pack
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
106nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2322pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50237 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHA21N65EF-E3
SIHA21N65EF-E3 Elektronické komponenty
SIHA21N65EF-E3 Odbyt
SIHA21N65EF-E3 Dodavatel
SIHA21N65EF-E3 Distributor
SIHA21N65EF-E3 Datová tabulka
SIHA21N65EF-E3 Fotky
SIHA21N65EF-E3 Cena
SIHA21N65EF-E3 Nabídka
SIHA21N65EF-E3 Nejnižší cena
SIHA21N65EF-E3 Vyhledávání
SIHA21N65EF-E3 Nákup
SIHA21N65EF-E3 Chip