Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHB18N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Číslo dílu
SIHB18N60E-GE3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (D²Pak)
Ztráta energie (max.)
179W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
202 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40062 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHB18N60E-GE3
SIHB18N60E-GE3 Elektronické komponenty
SIHB18N60E-GE3 Odbyt
SIHB18N60E-GE3 Dodavatel
SIHB18N60E-GE3 Distributor
SIHB18N60E-GE3 Datová tabulka
SIHB18N60E-GE3 Fotky
SIHB18N60E-GE3 Cena
SIHB18N60E-GE3 Nabídka
SIHB18N60E-GE3 Nejnižší cena
SIHB18N60E-GE3 Vyhledávání
SIHB18N60E-GE3 Nákup
SIHB18N60E-GE3 Chip