Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHB22N60AEL-GE3X
MOSFET N-CHAN 600V
Číslo dílu
SIHB22N60AEL-GE3X
Výrobce/značka
Série
EL
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263)
Ztráta energie (max.)
208W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1757pF @ 100V
VGS (max.)
±30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53661 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHB22N60AEL-GE3X
SIHB22N60AEL-GE3X Elektronické komponenty
SIHB22N60AEL-GE3X Odbyt
SIHB22N60AEL-GE3X Dodavatel
SIHB22N60AEL-GE3X Distributor
SIHB22N60AEL-GE3X Datová tabulka
SIHB22N60AEL-GE3X Fotky
SIHB22N60AEL-GE3X Cena
SIHB22N60AEL-GE3X Nabídka
SIHB22N60AEL-GE3X Nejnižší cena
SIHB22N60AEL-GE3X Vyhledávání
SIHB22N60AEL-GE3X Nákup
SIHB22N60AEL-GE3X Chip