Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHB30N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Číslo dílu
SIHB30N60E-E3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263)
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20598 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHB30N60E-E3
SIHB30N60E-E3 Elektronické komponenty
SIHB30N60E-E3 Odbyt
SIHB30N60E-E3 Dodavatel
SIHB30N60E-E3 Distributor
SIHB30N60E-E3 Datová tabulka
SIHB30N60E-E3 Fotky
SIHB30N60E-E3 Cena
SIHB30N60E-E3 Nabídka
SIHB30N60E-E3 Nejnižší cena
SIHB30N60E-E3 Vyhledávání
SIHB30N60E-E3 Nákup
SIHB30N60E-E3 Chip