SIHB35N60EF-GE3
MOSFET N-CH D2PAK TO-263
Číslo dílu
SIHB35N60EF-GE3
Výrobce/značka
Série
EF
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263)
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
97 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
134nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2568pF @ 100V
VGS (max.)
±30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37783 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHB35N60EF-GE3
SIHB35N60EF-GE3 Elektronické komponenty
SIHB35N60EF-GE3 Odbyt
SIHB35N60EF-GE3 Dodavatel
SIHB35N60EF-GE3 Distributor
SIHB35N60EF-GE3 Datová tabulka
SIHB35N60EF-GE3 Fotky
SIHB35N60EF-GE3 Cena
SIHB35N60EF-GE3 Nabídka
SIHB35N60EF-GE3 Nejnižší cena
SIHB35N60EF-GE3 Vyhledávání
SIHB35N60EF-GE3 Nákup
SIHB35N60EF-GE3 Chip