Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHF30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Číslo dílu
SIHF30N60E-GE3
Výrobce/značka
Série
E
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
-
Ztráta energie (max.)
37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28998 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHF30N60E-GE3
SIHF30N60E-GE3 Elektronické komponenty
SIHF30N60E-GE3 Odbyt
SIHF30N60E-GE3 Dodavatel
SIHF30N60E-GE3 Distributor
SIHF30N60E-GE3 Datová tabulka
SIHF30N60E-GE3 Fotky
SIHF30N60E-GE3 Cena
SIHF30N60E-GE3 Nabídka
SIHF30N60E-GE3 Nejnižší cena
SIHF30N60E-GE3 Vyhledávání
SIHF30N60E-GE3 Nákup
SIHF30N60E-GE3 Chip