Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHP30N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Číslo dílu
SIHP30N60E-E3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33871 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHP30N60E-E3
SIHP30N60E-E3 Elektronické komponenty
SIHP30N60E-E3 Odbyt
SIHP30N60E-E3 Dodavatel
SIHP30N60E-E3 Distributor
SIHP30N60E-E3 Datová tabulka
SIHP30N60E-E3 Fotky
SIHP30N60E-E3 Cena
SIHP30N60E-E3 Nabídka
SIHP30N60E-E3 Nejnižší cena
SIHP30N60E-E3 Vyhledávání
SIHP30N60E-E3 Nákup
SIHP30N60E-E3 Chip