SIJ462DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
Číslo dílu
SIJ462DP-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
46.5A(Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33812 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIJ462DP-T1-GE3
SIJ462DP-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIJ462DP-T1-GE3 Odbyt
SIJ462DP-T1-GE3 Dodavatel
SIJ462DP-T1-GE3 Distributor
SIJ462DP-T1-GE3 Datová tabulka
SIJ462DP-T1-GE3 Fotky
SIJ462DP-T1-GE3 Cena
SIJ462DP-T1-GE3 Nabídka
SIJ462DP-T1-GE3 Nejnižší cena
SIJ462DP-T1-GE3 Vyhledávání
SIJ462DP-T1-GE3 Nákup
SIJ462DP-T1-GE3 Chip