SIJ494DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8
Číslo dílu
SIJ494DP-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
ThunderFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
69.4W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
36.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1070pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35833 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIJ494DP-T1-GE3
SIJ494DP-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIJ494DP-T1-GE3 Odbyt
SIJ494DP-T1-GE3 Dodavatel
SIJ494DP-T1-GE3 Distributor
SIJ494DP-T1-GE3 Datová tabulka
SIJ494DP-T1-GE3 Fotky
SIJ494DP-T1-GE3 Cena
SIJ494DP-T1-GE3 Nabídka
SIJ494DP-T1-GE3 Nejnižší cena
SIJ494DP-T1-GE3 Vyhledávání
SIJ494DP-T1-GE3 Nákup
SIJ494DP-T1-GE3 Chip