Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 40V
Číslo dílu
SIR112DP-T1-RE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
37.6A (Ta), 133A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.96 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
89nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4270pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
+20V, -16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15684 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova SIR112DP-T1-RE3
SIR112DP-T1-RE3 Elektronické komponenty
SIR112DP-T1-RE3 Odbyt
SIR112DP-T1-RE3 Dodavatel
SIR112DP-T1-RE3 Distributor
SIR112DP-T1-RE3 Datová tabulka
SIR112DP-T1-RE3 Fotky
SIR112DP-T1-RE3 Cena
SIR112DP-T1-RE3 Nabídka
SIR112DP-T1-RE3 Nejnižší cena
SIR112DP-T1-RE3 Vyhledávání
SIR112DP-T1-RE3 Nákup
SIR112DP-T1-RE3 Chip