Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIR140DP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
Číslo dílu
SIR140DP-T1-RE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
71.9A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
0.67 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8150pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
+20V, -16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48672 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIR140DP-T1-RE3
SIR140DP-T1-RE3 Elektronické komponenty
SIR140DP-T1-RE3 Odbyt
SIR140DP-T1-RE3 Dodavatel
SIR140DP-T1-RE3 Distributor
SIR140DP-T1-RE3 Datová tabulka
SIR140DP-T1-RE3 Fotky
SIR140DP-T1-RE3 Cena
SIR140DP-T1-RE3 Nabídka
SIR140DP-T1-RE3 Nejnižší cena
SIR140DP-T1-RE3 Vyhledávání
SIR140DP-T1-RE3 Nákup
SIR140DP-T1-RE3 Chip