Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8
Číslo dílu
SIR165DP-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen III
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
69.4W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
138nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4930pF @ 15V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37592 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova SIR165DP-T1-GE3
SIR165DP-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIR165DP-T1-GE3 Odbyt
SIR165DP-T1-GE3 Dodavatel
SIR165DP-T1-GE3 Distributor
SIR165DP-T1-GE3 Datová tabulka
SIR165DP-T1-GE3 Fotky
SIR165DP-T1-GE3 Cena
SIR165DP-T1-GE3 Nabídka
SIR165DP-T1-GE3 Nejnižší cena
SIR165DP-T1-GE3 Vyhledávání
SIR165DP-T1-GE3 Nákup
SIR165DP-T1-GE3 Chip