Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIR410DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Číslo dílu
SIR410DP-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
4.2W (Ta), 36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28067 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIR410DP-T1-GE3
SIR410DP-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIR410DP-T1-GE3 Odbyt
SIR410DP-T1-GE3 Dodavatel
SIR410DP-T1-GE3 Distributor
SIR410DP-T1-GE3 Datová tabulka
SIR410DP-T1-GE3 Fotky
SIR410DP-T1-GE3 Cena
SIR410DP-T1-GE3 Nabídka
SIR410DP-T1-GE3 Nejnižší cena
SIR410DP-T1-GE3 Vyhledávání
SIR410DP-T1-GE3 Nákup
SIR410DP-T1-GE3 Chip