Koupit Vishay Siliconix SIRA12DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SIRA12DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Číslo dílu

SIRA12DP-T1-GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

PowerPAK® SO-8

Dodavatelský balíček zařízení

PowerPAK® SO-8

Ztráta energie (max.)

4.5W (Ta), 31W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

25A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

4.3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2070pF @ 15V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

VGS (max.)

+20V, -16V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 36345 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

SIRA00DP-T1-GE3