Koupit Vishay Siliconix SIRA62DP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 30V

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SIRA62DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 30V

Číslo dílu

SIRA62DP-T1-RE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Stav sekce

Active

Obal

Digi-Reel®

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

PowerPAK® SO-8

Dodavatelský balíček zařízení

PowerPAK® SO-8

Ztráta energie (max.)

5.2W (Ta), 65.7W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

51.4A (Ta), 80A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

1.2 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

4460pF @ 15V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

VGS (max.)

+16V, -12V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 18714 PCS

Kontaktní informace

Související produkty