Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIS407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK
Číslo dílu
SIS407DN-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 33W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.5 mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
93.8nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2760pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18796 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIS407DN-T1-GE3
SIS407DN-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIS407DN-T1-GE3 Odbyt
SIS407DN-T1-GE3 Dodavatel
SIS407DN-T1-GE3 Distributor
SIS407DN-T1-GE3 Datová tabulka
SIS407DN-T1-GE3 Fotky
SIS407DN-T1-GE3 Cena
SIS407DN-T1-GE3 Nabídka
SIS407DN-T1-GE3 Nejnižší cena
SIS407DN-T1-GE3 Vyhledávání
SIS407DN-T1-GE3 Nákup
SIS407DN-T1-GE3 Chip