Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIS414DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
Číslo dílu
SIS414DN-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8
Ztráta energie (max.)
3.4W (Ta), 31W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
795pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19862 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIS414DN-T1-GE3
SIS414DN-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIS414DN-T1-GE3 Odbyt
SIS414DN-T1-GE3 Dodavatel
SIS414DN-T1-GE3 Distributor
SIS414DN-T1-GE3 Datová tabulka
SIS414DN-T1-GE3 Fotky
SIS414DN-T1-GE3 Cena
SIS414DN-T1-GE3 Nabídka
SIS414DN-T1-GE3 Nejnižší cena
SIS414DN-T1-GE3 Vyhledávání
SIS414DN-T1-GE3 Nákup
SIS414DN-T1-GE3 Chip