Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIS435DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
Číslo dílu
SIS435DNT-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 39W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.4 mOhm @ 13A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5700pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12835 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIS435DNT-T1-GE3
SIS435DNT-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIS435DNT-T1-GE3 Odbyt
SIS435DNT-T1-GE3 Dodavatel
SIS435DNT-T1-GE3 Distributor
SIS435DNT-T1-GE3 Datová tabulka
SIS435DNT-T1-GE3 Fotky
SIS435DNT-T1-GE3 Cena
SIS435DNT-T1-GE3 Nabídka
SIS435DNT-T1-GE3 Nejnižší cena
SIS435DNT-T1-GE3 Vyhledávání
SIS435DNT-T1-GE3 Nákup
SIS435DNT-T1-GE3 Chip