SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Číslo dílu
SISS23DN-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8840pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20402 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SISS23DN-T1-GE3
SISS23DN-T1-GE3 Elektronické komponenty
SISS23DN-T1-GE3 Odbyt
SISS23DN-T1-GE3 Dodavatel
SISS23DN-T1-GE3 Distributor
SISS23DN-T1-GE3 Datová tabulka
SISS23DN-T1-GE3 Fotky
SISS23DN-T1-GE3 Cena
SISS23DN-T1-GE3 Nabídka
SISS23DN-T1-GE3 Nejnižší cena
SISS23DN-T1-GE3 Vyhledávání
SISS23DN-T1-GE3 Nákup
SISS23DN-T1-GE3 Chip