SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S
Číslo dílu
SISS26DN-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8S
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
57W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5492 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SISS26DN-T1-GE3
SISS26DN-T1-GE3 Elektronické komponenty
SISS26DN-T1-GE3 Odbyt
SISS26DN-T1-GE3 Dodavatel
SISS26DN-T1-GE3 Distributor
SISS26DN-T1-GE3 Datová tabulka
SISS26DN-T1-GE3 Fotky
SISS26DN-T1-GE3 Cena
SISS26DN-T1-GE3 Nabídka
SISS26DN-T1-GE3 Nejnižší cena
SISS26DN-T1-GE3 Vyhledávání
SISS26DN-T1-GE3 Nákup
SISS26DN-T1-GE3 Chip